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SK 海力士、三星电子：整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存

SK 海力士、三星电子：整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存

5 月 14 日消息，据韩媒 Hankyung 报道，两大存储巨头 SK 海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示，整体 DRAM 生产线中已有两成用于 HBM 内存的生产。 ...
SK 海力士 HBM4E 内存有望采用 1c nm 32Gb DRAM 裸片，进一步提升容量

SK 海力士 HBM4E 内存有望采用 1c nm 32Gb DRAM 裸片，进一步提升容量

5 月 14 日消息，SK 海力士在 2024 年度 IEEE IMW 国际存储研讨会上不仅分享了 HBM4E 内存开发周期将缩短到一年的预期，也介绍了该内存的更多细节。 ...
消息称三星电子 8 层堆叠 HBM3E 内存尚未正式通过英伟达验证

消息称三星电子 8 层堆叠 HBM3E 内存尚未正式通过英伟达验证

感谢网友 华南吴彦祖 的线索投递！ 5 月 13 日消息，韩媒 Alpha Biz 报道称，三星电子的 8 层堆叠（8Hi）HBM3E 内存尚未正式通过英伟达的测试，仍需进一步验证。 ...
台积电量产第六代CoWoS晶圆封装：CPU可集成192GB内存

台积电量产第六代CoWoS晶圆封装：CPU可集成192GB内存

据媒体报道，作为全球一号代工厂，台积电已经开始大规模量产第六代CoWoS晶圆级芯片封装技术，集成度大大提高。 ...
台积电宣布3200平方毫米巨型芯片：整合封装12颗HBM

台积电宣布3200平方毫米巨型芯片：整合封装12颗HBM

除了5nm、4nm、3nm、2nm工艺进展和规划，台积电近日还公布了不少新的芯片封装技术，毕竟随着高性能计算需求的与日俱增、半导体工艺的日益复杂，单靠升级制程工艺已经不能解决所有问题。 ...
美光宣布下一代显存HBMnext：2022年见

美光宣布下一代显存HBMnext：2022年见

HBM显存发展过程中，美光不是最快的，也不是性能最好的，但这次打了个头阵，率先宣布了下一代技术规划，暂定名HBMNext。 经过两代的演进，HBM目前正在进入HBM2e阶段，其中，三星也在积极推进中。 ...
AMD下代旗舰显卡成谜：GDDR6？HBM？

AMD下代旗舰显卡成谜：GDDR6？HBM？

近期关于AMD、NVIDIA各自下一代游戏卡的传闻越来越多，但都是什么说法都有，有的甚至还互相冲突。 ...

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