台积电计划扩大特殊制程业务，未来推出 N4e 超低功耗节点

5 月 17 日消息，据外媒 Anandtech 报道，台积电在近日举行的 2024 年欧洲技术论坛上表示计划未来将特殊制程产能扩大 50%，提升半导体供应链弹性。

除标准制程外，台积电还可提供一系列的特殊制程 / 工艺代工服务，包括：

MEMS 传感器 SoC 工艺、用于 CMOS 图像传感器的 CIS 技术、嵌入式非易失性存储器（eNVM）、混合 / 射频产品、模拟芯片、高压半导体、BCD 功率 IC 和超低功耗（ULP）器件。

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台积电负责国际业务的副联席 COO 张晓强称，台积电近来重新开始为特殊制程专门建设新晶圆厂，未来四至五年将把特殊制程产能提升 50%，以扩大整体半导体代工网络的规模。

根据以往报道，台积电目前在超低功耗领域最先进的制程是 N6e，作为一个 7nm 变体节点，N6e 支持 0.4~0.9V 工作电压，预计年内开始生产；

展望未来，台积电还将为 5nm 家族增添 N4e 节点，正在考虑低于 0.4V 的工作电压。