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今天，Intel发布了公司有史以来最详细的制程工艺和封装技术路线图，展示了一系列底层技术创新。
除了公布其近十多年来首个全新晶体管架构RibbonFET 和业界首个全新的背面电能传输网络PowerVia之外，Intel还重点介绍了迅速采用下一代极紫外光刻（EUV）技术的计划，即高数值孔径（High-NA）EUV。
据悉，Intel有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。
Intel CEO帕特·基辛格表示，基于Intel在先进封装领域毋庸置疑的领先性，我们正在加快制程工艺创新的路线图，以确保到2025年制程性能再度领先业界。
Intel正利用我们无可比拟的持续创新的动力，实现从晶体管到系统层面的全面技术进步。在穷尽元素周期表之前，我们将坚持不懈地追寻摩尔定律的脚步，并持续利用硅的神奇力量不断推进创新。
基于FinFET晶体管优化，Intel 7与Intel 10nm SuperFin相比，每瓦性能将提升约10%-15%。2021年即将推出的Alder Lake客户端产品将会采Intel 7工艺，之后是面向数据中心的Sapphire Rapids预计将于2022年第一季度投产。
凭借每瓦性能约20%的提升以及芯片面积的改进，Intel 4将在2022年下半年投产，并于2023年出货，这些产品包括面向客户端的Meteor Lake和面向数据中心的Granite Rapids。
，在芯片面积上也会有额外改进。Intel 3将于2023年下半年开始用于相关产品生产。
Intel 20A将凭借RibbonFET和PowerVia两大突破性技术开启埃米时代。RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体管的实现，它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。
Intel 20A预计将在2024年推出。Intel也很高兴能在Intel 20A制程工艺技术上，与高通公司进行合作。
从Intel 20A更进一步的Intel 18A节点也已在研发中，将于2025年初推出，它将对RibbonFET进行改进，在晶体管性能上实现又一次重大飞跃。
Intel还致力于定义、构建和部署下一代High-NA EUV，有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。Intel正与ASML密切合作，确保这一行业突破性技术取得成功，超越当前一代EUV。
Intel高级副总裁兼技术开发总经理Ann Kelleher博士表示：“Intel有着悠久的制程工艺基础性创新的历史，这些创新均驱动了行业的飞跃。我们引领了从90 nm应变硅向45 nm高K金属栅极的过渡，并在22 nm时率先引入FinFET。凭借RibbonFET和PowerVia两大开创性技术，Intel 20A将成为制程技术的另一个分水岭。”
Intel高级副总裁兼技术开发总经理Ann Kelleher博士
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