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4 月 30 日消息，根据韩媒 TheElec 报道，三星正在考虑在其下一代 DRAM 极紫外（EUV）光刻工艺中应用金属氧化物抗蚀剂（MOR）。

消息称三星计划量产的 1c DRAM 使用 MOR 光刻胶-风君雪科技博客

注：MOR 被业内认为是下一代光刻胶（PR），会接棒目前先进芯片光刻中的化学放大胶（CAR）。CAR 在 PR 分辨率、抗蚀刻性和线边缘粗糙度方面已经无法完全满足未来光刻的需求。

三星正考虑在第 6 代 10 纳米 DRAM（1c DRAM）中使用 MOR，主要在六层或七层上使用 EUV PR，相关产品将于今年下半年投入生产。

消息称三星正计划向多家供应商采购 EUV MOR 光刻胶材料，除了 Inpria 之外杜邦、东进半导体、三星 SDI 等都在测试开发。