展露发展系统半导体的野心！李在镕参访三星3纳米级开发现场

　　芯科技消息（文/西卡），2020 年三星电子副会长李在镕已经开始其第 1 个行程，除检查去年底停电产线外，也参访了全球第 1 个 3 纳米级半导体开发现场。

　　三星电子解决去年底（31 日）芯片厂停电风波后，持续开发新技术以确保业界地位。据韩媒报导，李在镕 2 日参访三星电子华城厂区中的半导体研究所，听取三星电子 3 纳米制程技术报告，并与半导体（DS）部门主管们讨论新一代半导体策略。

　　三星电子 3 纳米制程将克服半导体微细化极限，通过 GAA（Gate-All-Around，多闸极晶体管），能使 3 纳米芯片的面积比 5 纳米芯片小 35％，耗电量减半外，处理速度还能提高 30％以上。

　　事实上，李在镕新年第 1 个活动不仅访问发生停电事故的地方，检查 DRAM、NAND 闪存开发现场，李在镕也再次向职员展现发展系统半导体的野心。

　　去年 4 月，李在镕发表的《半导体展望 2030》计划中，定下 10 年内成为全球半导体综合冠军的目标，这段时间里，三星电子将在系统半导体领域中投入 133 万亿韩元，加强移动处理器、人工智能芯片、车用半导体等新一代系统半导体设计，并培养代工事业竞争力。

　　李在镕表示，过去的业绩无法保证未来的成功，历史也不是靠等待而来，而是需要创造出来，也得果断屏弃坏习惯、旧思维，开拓新的未来。（校对/小山）