1 月 19 日消息，据 DIGITIMES 研究报告，随氮化镓 (GaN) 通讯元件于工艺及磊晶技术持续精进，将由现行散热较佳的碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 结构，朝着即将试产的 GaN on GaN 及磊晶质量改善后的硅基氮化镓 (GaN on Si) 架构发展，以支持后续 6G 网络通讯在低轨卫星及智能手机等场景应用。再者，因 6G 网络将整合 4G 与 5G 通讯的云端及边缘运算能力，并提供更宽广的 6G 网络频段、资料传输率及传输范围，亦有望推升 GaN 通讯元件于高频及高功率环境下的终端需求。（磊晶，Epitaxy 是指一种用于半导体器件制造过程中，在原有晶片上长出新结晶，以制成新半导体层的技术）

由于通讯网络技术的不断升级，从原先单纯语音传输的 2G 到现行复杂物联网的 5G、再至未来整合多元传感器的 6G 网络，将提供人们更加便捷的通讯生活。6G 网络无论于频谱效率、通讯能效及数据传输率等皆更胜 5G，且 6G 拥有更宽广的网络频段与可支持非地面通讯 (Non-Terrestrial Network；NTN)，有望拉抬 GaN 通讯元件于 6G 网络生态系的渗透比例。

了解到，GaN 通讯元件因高频及高功率的材料特性，适合在如基站内的功率放大器 (Power Amplifier；PA) 等严苛的工作环境操作。现行 GaN 通讯元件结构多数以散热条件较佳的 GaN on SiC 异质磊晶结构为主。DIGITIMES Research 认为，未来随同质 GaN on GaN 元件接续问世及 GaN on Si 磊晶质量获得改善，其将渐应用于 6G 网络通讯于低轨卫星及智能手机等终端场景。